TOPCon 行业现状：良好的设备兼容性获得存量玩家青睐。

电池结构：与 PERC 产线具有较好的兼容性

TOPCon 简单来说即利用氧化硅、掺杂多晶硅实现钝化接触，是一种利用超薄氧化层作为钝化层结构的高 效太阳能晶硅电池。1983 年，“太阳能之父”澳大利亚太阳能科学家马丁·格林开发了使用隧穿氧化层与多晶 硅层的电池结构。2014年，德国 Fraunhofer ISE 研究所宣布实现基于隧穿层钝化技术的小面积电池，效率为 23%，并将该电池结构命名为TOPCon。

TOPCon 相较于PERC，在工艺上需要额外增加3 步~4步，包括硼发射极的制备、生长隧穿氧化层、沉积多晶硅并对其进行掺杂、扩散后的清洗。其中，隧穿氧化层的生长、沉积本征多晶硅层、掺杂多晶硅为最核心的三道工艺。在电池的额背面制备一层超薄隧穿氧化层（1.5nm）与一层高掺杂的多晶硅薄膜层，两者共同形成钝化接触结构，在背面实现表面钝化。超薄隧穿氧化层使多子电子隧穿进入多晶硅层的同时阻挡了少子空穴复合，有利于提升开路电压。

核心设备：核心环节为多晶硅沉积，工艺路线选择较多

TOPCon 产线与现有主流电池技术PERC具备较好的设备兼容性，增加的设备主要围绕 TOPCon 核心工艺。目前PERC 的设备投资在 1.5 亿元/GW 左右，对于产线的升级，增加的设备投资额在 5,000 万元~7,000 万元。

TOPCon工艺制备中，最核心的环节为多晶硅的沉积。不同方案的选择涉及到的不同核心设备包括 LPCVD、PECVD、PVD、ALD 等。

目前最为成熟的方案为LPCVD路线，通过热氧法生长隧穿氧化层，通过 LPCVD 沉积多晶硅层，随后进行磷扩散。LPCVD 镀膜均匀性好，致密度高，但是效率上没有优势，同时饶镀问题也是其主要制约之一。

PECVD 在 TOPCon 的应用最早由梅耶博格提出，相较于 LPCVD，原则上可实现无绕镀沉积，轻微绕镀也 较易清洗。PECVD 沉积速率快，可实现原位掺杂。另一方面，PECVD 镀膜均匀性不如 LPCVD，容易爆膜。

PVD 路线优势主要体现在产能大，工艺集成度较高；但是PVD硅靶材用量较大，更换相对频繁从而提高 了成本。

除多晶硅沉积之外，TOPCon 工艺制备中，隧穿氧化层也是相较于PERC 的增量工艺步骤，目前主要的工艺方法包括热氧化法、PECVD、原子层沉积、湿化学法、准分子源干氧等，分别对应设备热氧化管式炉、板式 PECVD/管式PECVD、ALD、槽式湿法设备、槽式湿法设备。隧穿氧化层的制备，厚度是关键特性之一，通常在1.5nm~2nm之间。